半導体のイオン注入についてですが、 打込みエネルギーと打込み深さの相関グラフで...(半導体)
2012年01月25日 01時48分
半導体のイオン注入についてですが、 打込みエネルギーと打込み深さの相関グラフで...
半導体のイオン注入についてですが、
打込みエネルギーと打込み深さの相関グラフで
打込み対象Si基板で打込みイオンがボロンです。
横軸が Energy［keV］
縦軸が Rp、dRp［μm］
となっています。
Rpは Range Projection：射出 範囲ですが
dRpが何の略かわかりません。
詳しい人教えて下さい。
半導体のEL測定結果のグラフ
半導体のEL測定結果のグラフ
測定したデータを用いて以下のサイト
http://www.nedo.go.jp/itd/teian/ann-mtg/fy16/seikahoukokukai/pdf/c/...
の図９のような図を作りたいと考えています。
もちろん縦軸にEL intensity(a.u)、横軸にwavelenght （nm)にして図を書きたいのですが、上手く書けずにいます。
必要な実験データはあると思います。
作成方法をご存知の方、ご指導をよろしくお願い致します。
ある半導体のエネルギーギャップが1eVだとします。 温度に換算すると約1万Kです。 ...
ある半導体のエネルギーギャップが1eVだとします。
温度に換算すると約1万Kです。
こんなにも差があるのに室温で半導体は熱的励起されるんですか？